ORICO GV100 迷你 M.2 便攜式 NVMe SSD 外置固態硬碟評測

今天，小編將快速測試ORICO GV100 迷你 M.2 便攜式 NVMe SSD外置固態硬碟。該外置硬碟是便攜式的M.2 SSD，可提供高達每秒940MB的超快數據傳輸速度，並具有10Gbps的超高速吞吐量，非常適合傳輸容量巨大的數據，包括4K視頻，高解析度的照片，遊戲，電影，音樂，數據備份等。小編的測試樣本為總容量512GB的3D NAND Flash TLC 固態硬碟。該硬碟不但超薄，只有9.9mm厚，而且非常輕巧，重量僅為22克。 這款便攜式固態硬碟具有美觀且時尚的藍色鋁外殼，以及圓滑的設計，可輕鬆隨身攜帶。你可以將硬碟扣在鑰匙或背包上，不必擔心遺失它。

與傳統的機械便攜式硬碟相比，我們現在看到越來越多的便攜式SSD。 原因是固態硬碟具有更快的速度和更輕的重量。如果是這樣，使用新的M.2固態硬碟甚至更加輕巧且速度更快（使用USB 3.1 Gen2或更高版本）……例如小編將測試的ORICO GV100 Mini M.2便攜式NVMe SSD 就是了。

NAND Flash記憶體到底是什麼呢？現今最常用的某幾種NAND Flash類型，肯定是以下四種吧！資料來源: 維基百科

SLC — Single Level Cell (單階儲存單元): 傳統上，每個儲存單元內儲存1個資訊位元，使用這種儲存單元的快閃記憶體也稱為單階儲存單元快閃記憶體（SLC flash memory），或簡稱SLC快閃記憶體。SLC快閃記憶體的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和儲存單元的壽命更長。然而，由於每個儲存單元包含的資訊較少，其每百萬位元組需花費較高的成本來生產，大多數用在企業上，很少有消費型SLC儲存裝置拿來販賣，富士通生產的FSX系列是首款使用SLC晶片消費型固態硬碟，在2014販售。

MLC — Multi Level Cell (多階儲存單元): 可以在每個儲存單元內儲存2個以上的資訊位元，其“多階”指的是電荷充電有多個能階（即多個電壓值），如此便能儲存多個位元的值於每個儲存單元中。藉由每個儲存單元可儲存更多的位元，MLC快閃記憶體可降低生產成本，但比起SLC快閃記憶體，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和儲存單元的壽命較低，因此MLC快閃記憶體技術會用在標準型的記憶卡，也用在最常見的消費型固態硬碟和隨身碟上。另外，如飛索半導體的MirrorBit®技術，也是屬於這一類技術。

TLC — Triple Level Cell (三階儲存單元): 這種架構的原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內儲存3個資訊位元。 TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短（使用LDPC的話，約有1500次），大約1000次。現在，廠商已不使用TLC這個名字，而是稱其為3-bit MLC。

QLC — Quad Level Cell (四階儲存單元): 每個儲存單元有4個bits的格式，壽命更短。在假設低電位表示二進制的0，高電位表示二進制的1時，SLC、MLC、TLC和QLC的電位及二進制值對比表。在表中可以清楚的看到SLC、MLC、TLC和QLC技術分別將單個存儲單元劃分為2/4/8/16階，拿來存儲1/2/3/4個二進制位數。

你可以透過下面的表格查看各種類型的USB規格。在這種情況下，你應該查看第四欄。

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小編將會使用配備USB 3.1 Gen2插口的Dell Latitude E7300筆電測試這款ORICO GV100迷你M.2便攜式NVMe SSD。該筆電運行Windows 10 Pro的第8代Intel Core i7-8665U處理器和16Gb ram。我覺得讀寫速度應該不錯，希望該SSD能達到每秒940MB的數據傳輸速度。

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