小編今天為大家評測一下SanDisk Extreme PRO 500GB M.2 NVMe 3D SSD。這款SSD採用了SanDisk自家的8-channel, 3-Core控制器以及自家最新的64層TLC NAND芯片，配備512GB DDR3緩存記憶體，讀取及寫入速度高達3,400 MB/s和2,500 MB/s。根據SanDisk的說法，Extreme PRO 500GB M.2 NVMe 3D可以提供高達500,000個隨機讀取IOPS，整體性能表現比以往絕對有相當程度提升。
小編非常感謝Hornington Computers提供此評論樣本！ 先看看Sandisk的簡介吧：
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NAND Flash記憶體到底是什麼呢？現今最常用的某幾種NAND Flash類型，肯定是以下四種吧！以前廣泛使用的都是SLC和MLC，現今以TLC居多。資料來源: 維基百科
SLC — Single Level Cell (單階儲存單元): 傳統上，每個儲存單元內儲存1個資訊位元，使用這種儲存單元的快閃記憶體也稱為單階儲存單元快閃記憶體（SLC flash memory），或簡稱SLC快閃記憶體。SLC快閃記憶體的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和儲存單元的壽命更長。然而，由於每個儲存單元包含的資訊較少，其每百萬位元組需花費較高的成本來生產，大多數用在企業上，很少有消費型SLC儲存裝置拿來販賣，富士通生產的FSX系列是首款使用SLC晶片消費型固態硬碟，在2014販售。
MLC — Multi Level Cell (多階儲存單元): 可以在每個儲存單元內儲存2個以上的資訊位元，其“多階”指的是電荷充電有多個能階（即多個電壓值），如此便能儲存多個位元的值於每個儲存單元中。藉由每個儲存單元可儲存更多的位元，MLC快閃記憶體可降低生產成本，但比起SLC快閃記憶體，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和儲存單元的壽命較低，因此MLC快閃記憶體技術會用在標準型的記憶卡，也用在最常見的消費型固態硬碟和隨身碟上。另外，如飛索半導體的MirrorBit®技術，也是屬於這一類技術。
TLC — Triple Level Cell (三階儲存單元): 這種架構的原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內儲存3個資訊位元。 TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短（使用LDPC的話，約有1500次），大約1000次。現在，廠商已不使用TLC這個名字，而是稱其為3-bit MLC。
QLC — Quad Level Cell (四階儲存單元): 每個儲存單元有4個bits的格式，壽命更短。在假設低電位表示二進制的0，高電位表示二進制的1時，SLC、MLC、TLC和QLC的電位及二進制值對比表。在表中可以清楚的看到SLC、MLC、TLC和QLC技術分別將單個存儲單元劃分為2/4/8/16階，拿來存儲1/2/3/4個二進制位數。
小編想看看到底擁有自家控制器的SanDisk Extreme PRO NVMe與使用超快速Silicon Motion SM2262G控制器的Adata XPG SX8000，那一款性能較強？
真的很期待SanDisk Extreme PRO NVMe可以有更快的讀寫速度，小編認為它是小編測試過多款NVMe SSD當中速度最快的一款吧！
如欲購買SanDisk Extreme PRO 500GB M.2 NVMe 3D SSD
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